Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices
Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров Transistors. List of basic and reference electrical parameters Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров
Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров
Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя;
с использованием моста.
Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности
Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора Transistors. Method for measuring collector reverse current Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА
Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА